三维CMOS集成电路技术研究

• 作者: 张鹤鸣 朱国良 李发宁 胡辉勇 舒斌
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 三维集成电路(3DIC) Si/SiGe CMOS SOI/SiGeOI 低温键合
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 技术论文
• 页码范围: 21-26
• 页数: 6页
• 分类号: TN403
• 字数: 3189字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2004.07.005

摘要

论述了三维集成电路(3DIC)的发展概况,介绍了近几年国外发展的各种三维集成电路技术,主要包括再结晶技术、埋层结构技术、选择性外延过生长技术和键合技术.并基于SiGe材料特性,提出了一种新型的Si-SiGe三维CMOS结构,即将第一层器件(Si nMOS)做在SOI(Si on insulator)材料上,接着利用SiO2/SiO2低温直接键合的方法形成第二层器件的有源层,然后做第二层器件(SiGe pMOS),最终形成完整的三维CMOS结构.与目前所报道的Si基三维集成电路相比,该电路特性明显提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡辉勇	西安电子科技大学微电子研究所	64	367	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子研究所	102	510	12.0	16.0
3	李发宁	西安电子科技大学微电子研究所	2	37	2.0	2.0
4	朱国良	西安电子科技大学微电子研究所	3	47	3.0	3.0
5	舒斌	西安电子科技大学微电子研究所	14	109	8.0	10.0