新型SiGe/Si异质结开关功率二极管的特性分析及优化设计

• 作者: 杨媛 陈波涛 高勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe/Si异质结 功率损耗 通态压降 存贮电荷
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 735-740
• 页数: 6页
• 分类号: TN313+.4
• 字数: 3283字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.07.013

摘要

将SiGe技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了新型Si Ge/Si异质结p-i-n开关功率二极管结构,在分析器件结构机理的基础上,用Medici模拟了该器件的特性并进行了优化设计.结果表明,该功率二极管具有低的正向压降,较少的存贮电荷,其性能远远超过Si的同类型结构.这种性能的改进无需采用少子寿命控制技术,因而很容易集成于功率IC中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学电子工程系	189	1184	15.0	26.0
2	陈波涛	西安理工大学电子工程系	3	14	1.0	3.0
3	杨媛	西安理工大学电子工程系	92	559	12.0	19.0