中子辐照诱导Si PIN光电二极管暗电流增大的数值模拟

• 作者: 刘以农 刘敏波 唐本奇 张勇 王祖军 肖志刚 陈伟 黄绍艳
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: PIN光电二极管 中子辐照 暗电流 数值模拟
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 220-223
• 分类号: TN364.1
• 语种: 中文

摘要

分析了中子辐照诱导Si PIN光电二极管暗电流增大现象的机理,建立了Si PIN光电二极管的器件物理模型和中子辐照效应模型.运用MEDICI软件进行数值模拟计算,得出了1 MeV中子在辐照注量为1010～1014cm-2时,Si PIN光电二极管暗电流变化的初步规律.数值模拟结果与相关文献给出的实验结果吻合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐本奇		32	248	9.0	13.0
2	刘敏波		22	147	8.0	10.0
3	肖志刚		29	227	8.0	13.0
4	张勇		23	200	8.0	12.0
5	黄绍艳		27	220	8.0	13.0
6	陈伟		95	286	8.0	11.0