绝缘层上Si/应变Si1-xGex/Si异质结p-MOSFET电学特性二维数值分析

• 作者: 于杰 杨宇 杨洲 王茺 胡伟达
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应变Si1-xGex沟道 p-MOSFET 阈值电压 扭结
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 172-176
• 页数: 5页
• 分类号: TP386|TN401
• 字数: 4344字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2015.02.009

摘要

对绝缘层上Si/应变Si1-xGex/Si异质结p-MOSFET电学特性进行二维数值分析,研究了该器件的阈值电压特性、转移特性、输出特性.模拟结果表明,随着应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分增大,器件的阈值电压向正方向偏移,转移特性增强;当偏置条件一定时,漏源电流的增长幅度随着Ge组分的增大而减小;器件的输出特性呈现出较为明显的扭结现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学光电信息材料研究所	101	377	9.0	12.0
2	王茺	云南大学光电信息材料研究所	50	148	7.0	8.0
3	胡伟达	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	17	102	6.0	9.0
4	于杰	云南大学光电信息材料研究所	3	7	2.0	2.0
6	杨洲	云南大学光电信息材料研究所	5	16	2.0	4.0