Si1-xGex/Si材料外延生长技术

• 作者: 刘道广 李开成 杨沛锋
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅合金 分子束外延 有效组成成分
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 490-493
• 分类号: TN304.054
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.1999.05.010

摘要

介绍了用MBE法生长SiGe/Si新材料的无氧外延表面等关键技术,并据此外延生长出本征和掺杂Si1-xGex /Si材料.其测试结果与分析表明,该合金材料有效组成成分(x=0.15)和电学参数符合理论设计目标.利用该材料试制成功了Si1-xGex-PMOS(x =0.18)器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨沛锋	电子科技大学微电子科学与工程系	2	1	1.0	1.0
2	李开成		1	0	0.0	0.0
3	刘道广	电子科技大学微电子科学与工程系	1	0	0.0	0.0