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摘要:
提出了一种新结构Si1-xGex/Si光电探测器--能隙阶梯缓变结构的Si1-xGex/Si PIN型近红外光电探测器.理论分析表明,能隙缓变增大了载流子的离化率,价带的不连续则有利于空穴离化,从而对载流子的收集有利,可获得高的光电响应.实验结果表明,该探测器具有良好的I-V特性,反向漏电低达0.1μA/mm2(-2V).该探测器主峰值波长在0.96μm.其光电流响应随着反向偏压的增加有明显的增大,在同等条件下其光电流响应约为商用Si-PIN探测器的15倍.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 能隙阶梯缓变结构Si1-xGex/Si光电探测器
来源期刊 高技术通讯 学科 工学
关键词 能隙梯度 光电响应度 离化 耗尽层
年,卷(期) 2000,(6) 所属期刊栏目 研究通讯
研究方向 页码范围 10-12
页数 3页 分类号 TN3
字数 1234字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1002-0470.2000.06.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郑有炓 南京大学物理系 78 353 11.0 15.0
2 朱顺明 南京大学物理系 20 72 5.0 7.0
3 刘夏冰 南京大学物理系 5 10 2.0 3.0
4 江若琏 南京大学物理系 11 57 5.0 7.0
5 臧岚 南京大学物理系 5 9 2.0 3.0
6 罗志云 南京大学物理系 4 7 2.0 2.0
7 程雪梅 南京大学物理系 4 9 2.0 3.0
传播情况
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1998(1)
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研究主题发展历程
节点文献
能隙梯度
光电响应度
离化
耗尽层
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
高技术通讯
月刊
1002-0470
11-2770/N
大16开
北京市三里河路54号
82-516
1991
chi
出版文献量(篇)
5099
总下载数(次)
14
总被引数(次)
39217
论文1v1指导