光电导型混晶Si1-xGex波导探测器

• 作者: 刘夏冰 庄婉如 朱顺明 郑有炓 黄永箴
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅 硅基光电子器件 光探测器 光电子集成
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 研究通讯
• 页码范围: 39-42
• 页数: 4页
• 分类号: TL81
• 字数: 2162字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2000.05.009

摘要

首次报导了光电导型混晶Si1-xGex波导探测器.混晶Si1-xGex是在硅基SiON/SiO2/Si上用快速加热超低压化学气相淀积生长并经650℃退火30min得到的.探测器宽 10μm,长2mm. 探测器加上20V偏置电压时,探测灵敏度在0.022～0.010A/W之间. 混晶Si1-xGex造成探测器的光谱响应曲线发生蓝移.当锗组分x=0.35、0.4、0.5、和0.6时,探测器峰值波长分别对应为875nm、892nm、938nm和984nm.这种探测器有望能直接制作在硅基SiO2波导元器件的尾端上,可用于光互连和光数据处理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄永箴	中国科学院半导体研究所集成光电子国家实验室	47	229	9.0	12.0
2	庄婉如	中国科学院半导体研究所集成光电子国家实验室	1	1	1.0	1.0
3	郑有炓	南京大学物理系	78	353	11.0	15.0
4	朱顺明	南京大学物理系	20	72	5.0	7.0
5	刘夏冰	南京大学物理系	5	10	2.0	3.0