应变Si1-xGex(100)电子散射几率

• 作者: 宣荣喜 张鹤鸣 胡辉勇 赵丽霞
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 应变Si1-xGex 电子 散射
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 页码范围: 86-89,105
• 分类号: TN432
• 字数: 5322字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2012.03.013

摘要

基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论,针对离化杂质、声学声子、谷间声子及合金无序散射机制,研究了应变Si1-xGex/(100)Si材料电子散射几率与应力及能量的关系.结果表明:在应力的作用下,应变Si1-xGex/(100)Si材料声学声子及f2、f3型谷间声子散射几率显著降低.Si基应变材料电子迁移率增强与其散射几率密切相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡辉勇	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	64	367	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	102	510	12.0	16.0
3	宣荣喜	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	22	172	8.0	12.0
4	赵丽霞	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	6	34	3.0	5.0