四探针法测量应变Si1-xGex掺杂浓度

• 作者: 何林 吕懿 张静 张鹤鸣 戴显英 王伟 胡辉勇
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: Si1-xGex材料 迁移率模型 电阻率 掺杂浓度 四探针
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 页码范围: 255-258,280
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.07
• 字数: 3914字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2003.02.026

摘要

在对Si1-xGex材料多子迁移率模型分析基础上,建立了Si1-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度关系的曲线图谱.经过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究,提出了采用四探针法表征Si1-xGex材料掺杂浓度的技术.该表征技术与Si材料掺杂浓度的在线检测技术相容,且更加简捷.通过实验及对Si1-xGex材料样品掺杂浓度的现代理化分析验证了其可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子研究所	55	329	10.0	15.0
2	胡辉勇	西安电子科技大学微电子研究所	64	367	10.0	15.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子研究所	102	510	12.0	16.0
4	王伟	西安电子科技大学微电子研究所	83	505	12.0	18.0
5	吕懿	西安电子科技大学微电子研究所	14	99	6.0	9.0