应变Si1-x Gex（100）电子有效质量研究?

• 作者: 宋建军 赵丽霞
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 应变Si1-xGex 有效质量 K-P(Kr?nig-Penney)理论
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 739-742
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2550字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2015.04.004

摘要

基于结合形变势的K-P(Kr?nig-Penney)理论框架，对应变Si1-xGex/(100)Si材料电子有效质量(包括导带能谷电子纵、横向有效质量，导带底电子态密度有效质量及电子电导有效质量)进行了系统的研究。结果表明：应变Si1-x Gex/(100) Si材料导带能谷电子纵、横向有效质量在应力的作用下没有变化，导带底电子态密度有效质量在Ge组份较小时随着x的增加而显著减小，沿[100]方向的电子电导有效质量随应力明显降低。以上结论可为应变Si1-xGex/(100)Si材料电学特性的研究提供重要理论依据。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋建军	西安电子科技大学微电子学院	36	204	9.0	12.0
2	赵丽霞		1	1	1.0	1.0