Ge+注入Si1-x Gex/Si异质结的退火行为

• 作者: 罗益民 陈振华 黄培云
• 来源期刊: 中南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 Si1-xGex/Si异质结 退火行为 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 材料·矿物·冶金·化学
• 页码范围: 560-565
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 3246字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7207.2005.04.006

摘要

在注入能量为100keV时,将注入剂量为5.3×1016/cm2的Ge+注入(001)SIMOX硅膜中制备Si1-xGex/Si异质结;然后,对样品进行碘钨灯快速热退火,退火温度为700～1 050℃,退火时间为5～30 min.对样品的(004)和(113)面X射线衍射数据进行计算和分析,得出退火温度为1 000℃、退火时间为30 min为最佳退火条件.在此退火条件下,假设固相外延生长为赝晶生长,90%的注入Ge+位于替代位置,若同时考虑应变弛豫,则位于替代位置的Ge+达到理论最大值的82%,共格因子为0.438.由于高剂量Ge+注入引起表面晶格损伤严重以及应变弛豫释放的位错和缺陷,因此,表面结晶质量不太理想.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈振华	湖南大学材料科学学院	324	5465	34.0	57.0
2	罗益民	中南大学物理科学与技术学院	11	62	4.0	7.0
3	黄培云	中南大学粉末冶金研究院	17	598	10.0	17.0