非晶Si1-x Gex:H薄膜太阳能电池研究

• 作者: 史力斌 费英
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 太阳能电池 薄膜 半导体
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 532-538
• 分类号: O472+.3
• 字数: 4995字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2012.03.026

摘要

运用AMPS- ID程序研究了a-SiC:H/a-Si1-rGer:H/a-Si:H薄膜太阳能电池的光电特性.分析了a-SiC:H/a-Si1-xGes:H/a-Si:H薄膜太阳能电池短路电流、断路电压、填充因子和光电转化效率随Ge成分(或含量)x和a-Si1-sGes:H层厚度的变化.计算结果表明x=0.1和a-Si1-xGex:H厚度h=340 nm时,转化效率达到最大值 9.19％.另外,讨论了各种因素对太阳能电池性能的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史力斌	渤海大学数理学院	28	74	5.0	6.0
2	费英	渤海大学数理学院	8	29	3.0	5.0