基于Si/Si1-xGex/Si HBT的微波功率器件Ge组分的数值拟合计算

• 作者: 周少华 文剑 曾健平 李宇 田涛
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 双极型 微波功率器件 Si1-xGex 数值方法
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 251-253
• 页数: 3页
• 分类号: TN301
• 字数: 1858字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.02.006

摘要

采用异质结双台面双极型结构设计微波功率器件,选择Si作发射区和集电区,Si1-xGex合金作基区的n-p-n型HBT,利用数学方法,通过实验数据,采用MATLAB得到了一个比线性化更精确的禁带宽度Eg在300K时关于Ge组分变化的方程.并用数值方法计算出集电区电流密度Jc随VBE变化的直流方程,与实验结果相符.并得到一个最佳的Ge组分值.对器件的仿真设计具有实际指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾健平	湖南大学应用物理系	90	672	12.0	22.0
2	周少华	湖南大学应用物理系	22	121	7.0	10.0
3	田涛	湖南大学应用物理系	9	72	6.0	8.0
4	李宇	湖南大学应用物理系	3	33	2.0	3.0
5	文剑	湖南大学应用物理系	12	78	5.0	8.0