P+多晶Si1-xGex功函数对异质结CMOS器件电学特性影响的模拟研究

• 作者: 任冬玲 吴铁峰 宋建军 宣荣喜 张永杰 张鹤鸣 王伟 舒斌
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结CMOS p+多晶Si1-xGex栅 MEDICI模拟 功函数
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 固体电子器件及电路
• 页码范围: 795-799
• 页数: 5页
• 分类号: TN301.1
• 字数: 2712字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.03.014

摘要

为使垂直层叠SiGe/Si异质结CMOS器件具有匹配的阈值电压,利用二维器件模拟器MEDICI模拟分析了p+多晶Si1-xGex栅的功函数对此类器件直流与交流特性参数的影响,得出在P+多晶Si1-xGex功函数W=0.85 eV,即Ge组分x=0.36时,此类器件的p-MOSFET与n-MOSFET具有匹配的阈值电压,分别为VTp=-0.215 V和VTn=O.205 V.为此类器件的优化设计和制备提供了理论依据.