室温下Si/Si1-xGex共振隧穿二极管的数值模拟

• 作者: 余志平 向采兰 李涛 王燕 黄雷
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si/Si1-xGex共振隧穿二极管 量子水动力学模型 离散方法 轻重空穴 峰谷电流比
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 869-873
• 页数: 5页
• 分类号: TN313+.2
• 字数: 3077字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.05.020

摘要

采用量子水动力学(QHD)模型模拟了35nm Si/Si1-xGex空穴型共振隧穿二极管(RTD)在室温下的I-V特性.模拟过程中,引入second upwind,Schafetter-Gummel(SG)和二阶中心差分法相结合的离散方法对方程组进行离散,保证了结果的收敛性.还模拟了不同的器件结构,对结果的分析表明器件的势垒厚度和载流子有效质量都会对RTD的负阻效应产生影响.在室温下(T=293K),当x=0.23时,模拟结果的峰谷电流比为1.14,与实验结果相吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余志平	清华大学微电子学研究所	45	158	7.0	10.0
2	王燕	清华大学微电子学研究所	55	351	8.0	17.0
3	李涛	清华大学微电子学研究所	40	593	13.0	24.0
4	向采兰	清华大学微电子学研究所	18	35	4.0	5.0
5	黄雷	清华大学微电子学研究所	2	1	1.0	1.0