Al2O3/GaSb p-MOSFET器件电学性质模拟

• 作者: 王林 甘凯仙 邢怀中
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Al2O3/GaSb p型场效应晶体管 饱和电流 泊松方程与连续性方程 开关电流比
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 页码范围: 528-532
• 页数: 5页
• 分类号: O472+.4
• 字数: 982字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2015.05.003

摘要

利用泊松方程和连续性方程对Al2O3/GaSb p-MOSFET进行二维数值分析,研究其在高场和载流子速度饱和下的电学特性以及漏极电流的开关电流比.与实验研究相对比,沟道长度为0.75 μm的GaSb p-MOS器件获得漏极电流最大为61.2mA/mm.改变沟道长度和GaSb衬底的掺杂浓度,由于高k介质栅电容效应和低阈值电压,漏极电流变化不大.在理想条件下,该器件获得超过三个数量级的漏极开关电流比以及较低的夹断漏电流(10-15A/μm).结果表明,基于高k介质的GaSb MOSFET是Ⅲ-Ⅴ族p沟道器件良好的候选材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邢怀中	东华大学理学院应用物理系	14	45	5.0	5.0
2	王林	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	53	1061	17.0	32.0
3	甘凯仙	东华大学理学院应用物理系	1	1	1.0	1.0