应变SiGe SOI p-MOSFET温度特性研究

• 作者: 刘静 高勇 黄媛媛
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 自加热效应 热稳定性 驱动电流
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 页码范围: 385-389
• 页数: 5页
• 分类号: TN313+.4
• 字数: 3429字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4710.2008.04.001

摘要

SiGe SOI p-MOSFET在高频、高速、低功耗、抗辐射方面具有极大的优势.但二氧化硅埋层较低的热导率以及SiGe材料较低的热稳定性,使器件内部自加热效应的减弱或消除成为提高器件温度特性的关键因素.对应变SiGe SOI p-MOSFET温度特性机理进行研究,给出了三种缓解MOSFET器件内部自加热效应的结构,并对其效果进行对比分析.结果表明:DSOI结构不适宜于低压全耗尽型SOI器件;Si3N4-DSOI结构对自加热的改善幅度较小;Si3N4埋层结构效果最好,尤其在低温领域改善更为明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学自动化与信息工程学院	189	1184	15.0	26.0
2	刘静	西安理工大学自动化与信息工程学院	58	261	8.0	14.0
3	黄媛媛	西安理工大学自动化与信息工程学院	4	22	2.0	4.0