SOI结构P型SiGe沟道混合模式晶体管器件模型研究

• 作者: 夏克军 李树荣 王纯 郑云光 郭维廉 钱佩信 陈培毅
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: BMHMT 器件模型 SiGe SOI
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 312-317
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4677字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.03.015

摘要

在带有应变SiGe沟道的SOI MOSFET结构中,把栅和衬底相连构成了新型的混合模式晶体管(SiGe SOI BMHMT).在SIVACO软件的器件数值模拟基础上,对这种结构的P型沟道管工作过程作了分析,并建立了数学模型.提出在低电压(小于0.7V)下,衬底电极的作用可近似等效成栅,然后依据电荷增量(非平衡过剩载流子)的方法,推导出该结构的I-V特性方程.该方程的计算结果与器件模拟结果相一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈培毅	清华大学微电子所	52	245	10.0	12.0
2	郭维廉	天津大学电信学院	145	419	10.0	12.0
3	钱佩信	清华大学微电子所	29	158	7.0	11.0
4	李树荣	天津大学电信学院	38	187	9.0	11.0
5	郑云光	天津大学电信学院	28	73	6.0	6.0
6	夏克军	天津大学电信学院	5	10	2.0	2.0
7	王纯	天津大学电信学院	3	6	2.0	2.0