薄膜全耗尽应变Si SOI MOSFET特性模拟与优化分析

• 作者: 刘静 王彩琳 高勇 黄媛媛
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 应变硅 全耗尽 驱动电流 功耗
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 固体电子器件及电路
• 页码范围: 859-863
• 页数: 5页
• 分类号: TN432|TN451
• 字数: 265字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.03.031

摘要

研究了应变Si沟道引入对薄膜全耗尽SOI MOSHET器件特性的影响,并分析了器件特性改进的物理机理.与传统的SOI MOSFET结构相比,器件的驱动电流和峰值跨导都有明显提高,对n-FET分别为21%和16.3%,对p-FET为14.3%和10%.应变si沟道的引入还降低了器件的阈值电压,这有益于集成电路中供电电压的降低和电路功耗的减小.另外,本文还对新结构中的Ge含量进行了优化分析,认为当Ge含量为30%时,器件有较好的电特性,而且不会增加器件制作的工艺成本.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学电子工程系	189	1184	15.0	26.0
2	刘静	西安理工大学电子工程系	58	261	8.0	14.0
3	王彩琳	西安理工大学电子工程系	43	203	8.0	12.0
4	黄媛媛	西安理工大学电子工程系	4	22	2.0	4.0