全耗尽SOI MOSFET自加热效应的模拟研究

• 作者: 侯春良 朱世敏 郭得峰
• 来源期刊: 重庆科技学院学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: SOI Silvaco 模拟 自加热效应
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 机械·电子
• 页码范围: 146-148
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 1137字
• 语种: 中文

摘要

利用Silvaco软件模拟全耗尽SOI n沟道MOSFET器件的自加热效应.在温度300～500K、栅偏压2～10V范围内研究了该器件的ID-VD特性和器件的温度分布规律.在低温和高栅偏压时,SOI结构中自加热效应明显.此现象归因于低温和高栅偏压时,SOI n-MOSFET中的漏电流密度大,热载流子使品格升温迅速.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯春良		10	120	4.0	10.0
2	郭得峰		8	22	3.0	4.0