SOI LDMOS晶体管的自加热效应

• 作者: 李家贵 李德昌
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 白加热效应 自加热效应的抑制 图形化SOI
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 72-74
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 1334字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2009.04.021

摘要

与常规体硅器件相比,SOI器件由于其独特的结构,常常会产生较严重的自加热效应,影响器件的可靠性.文中阐述SOI LDMOS功率晶体管中的自加热现象,研究了自加热效应产生的机理,在不同的结构和工艺参数下自加热效应的研究进展,以及减弱自加热效应的方法.研究证明采用新材料,结构可对同加热效应起到有效抑制作用提高了件的可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李德昌	西安电子科技大学理学院	20	82	6.0	7.0
2	李家贵	西安电子科技大学技术物理学院	1	9	1.0	1.0