新型多栅全耗尽SOI器件研究进展

• 作者: 周华杰 海潮和 蔡小五
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 全耗尽 SOI 多栅
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 841-845
• 页数: 5页
• 分类号: TN42
• 字数: 2885字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.03.029

摘要

随着器件尺寸的不断缩小,对更大驱动电流和更有效抑制短沟道效应器件的研制成为研究的热点,SOI多栅全耗尽器件由于对沟道更好控制能力能够有效地解决尺寸缩小带来的短沟道效应问题[1].本文主要介绍SOI/MOSFET单栅、平面双栅、FinFET、三栅、环绕栅、G4-FET等新型多栅全耗尽SOI器件的研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	周华杰	中国科学院微电子研究所	6	11	2.0	2.0
3	蔡小五	中国科学院微电子研究所	15	38	4.0	5.0