对异型硅岛实现的厚膜全耗尽SOI MOSFET的模拟研究

• 作者: 何进 张兴 杨胜齐 黄如
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 异型硅岛 厚膜全耗尽SOI Kink效应
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1605-1608
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2982字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2002.11.007

摘要

本文提出了用异型硅岛实现的厚膜全耗尽(FD)SOI MOSFET的新结构,并分析了其性能与结构参数的关系.通过在厚膜SOI MOSFET靠近背栅的界面形成一个相反掺杂的硅岛,从而使得厚膜SOI MOSFET变成全耗尽器件.二维模拟显示,通过对异型硅岛的宽度、厚度、掺杂浓度以及在沟道中位置的分析与设计,厚膜SOI MOSFET不仅实现了全耗尽,从而克服了其固有的Kink效应,而且驱动电流也大大增加,器件速度明显提高,同时短沟性能也得到改善.模拟结果证明:优化的异型硅岛应该位于硅膜的底部中央处,整个宽度约为沟道长度的五分之三,厚度大约等于硅膜厚度的一半,掺杂浓度只要高出硅膜的掺杂浓度即可.重要的是,异型硅岛的设计允许其厚度、宽度、掺杂浓度以及位置的较大波动.可以看出,异型硅岛实现的厚膜全耗尽 SOI MOSFET 为厚膜SOI器件提供了一个更广阔的设计空间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
3	何进	北京大学微电子学研究所	24	84	5.0	8.0
4	杨胜齐	北京大学微电子学研究所	1	0	0.0	0.0