超薄体SOI MOSFETs硅膜区热生成行为分析

• 作者: 唐凌虹 王金刚 苏亚丽
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 绝缘体上硅 自热效应 热生成,焦耳热效应 开关热效应
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 页码范围: 120-123
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 语种: 中文

摘要

针对SOI MOSFET自热效应热量的来源——热生成行为进行了深入研究,结果表明,对于静态电路,饱和导通电流产生的焦耳热效应是主要热量来源;对于动态电路,开关电流引起的器件寄生电容充放电过程产生的开关热效应起主要作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王金刚	西安石油大学机械工程学院	40	114	4.0	8.0
2	苏亚丽	西安石油大学机械工程学院	6	0	0.0	0.0
3	唐凌虹	西安石油大学机械工程学院	8	14	3.0	3.0