SOI SRAM测试研究

• 作者: 宿吉伟 王春早 赵琳娜 陶建中
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 绝缘体上硅(SOI) 部分耗尽(PD) 静态存储器 故障模型 测试码
• 年，卷（期）: 2007,（17）
• 所属期刊栏目: 电子设计
• 页码范围: 285-286,292
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0570.2007.17.113

摘要

SOI(绝缘体上硅)静态存储器与用传统体硅技术制备的SRAM有着不同的特性,在测试SOI SRAM时需要考虑其特有的故障模型.基于读写过程中影响比较显著的浮体效应和寄生双极管效应的讨论,分析了部分耗尽SOI SRAM的设计和测试考虑,并提出了相应的测试码.