用SOI技术提高CMOS SRAM的抗单粒子翻转能力

• 作者: 于芳 刘忠立 李宁 杨波 洪根深 肖志强 赵凯 高见头
• 来源期刊: 信息与电子工程
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅 静态随机存储器 抗单粒子翻转 设计加固
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 微光机电与物理电子技术
• 页码范围: 91-95
• 页数: 5页
• 分类号: TN432|TP333.8
• 字数: 2600字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-2892.2010.01.022

摘要

提高静态随机存储器(SRAM)的抗单粒子能力是当前电子元器件抗辐射加固领域的研究重点之一.体硅CMOS SRAM不作电路设计加固则难以达到较好抗单粒子能力,作电路设计加固则要在芯片面积和功耗方面做出很大牺牲.为了研究绝缘体上硅(SOI)基SRAM芯片的抗单粒子翻转能力,突破了SOI CMOS加固工艺和128 kb SRAM电路设计等关键技术,研制成功国产128 kb SOI SRAM芯片.对电路样品的抗单粒子摸底实验表明,其抗单粒子翻转线性传输能量阈值大于61.8 MeV/ (mg/cm2),优于未做加固设计的体硅CMOS SRAM.结论表明,基于SOI技术,仅需进行器件结构和存储单元的适当考虑,即可达到较好的抗单粒子翻转能力.