CMOS SRAM单粒子翻转效应的解析分析

• 作者: 刘恩科 李国政 罗晋生 贺朝会
• 来源期刊: 半导体学报
• 关键词: CMOSSRAM 单粒子翻转 临界电荷 恢复时间 反馈时间
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 174-178
• 页数: 5页
• 字数: 3444字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.02.013

摘要

分析了影响CMOS SRAM单粒子翻转效应的时间因素，指出不能仅根据临界电荷来判断发生单粒子翻转效应与否，必须考虑器件的恢复时间、反馈时间和电荷收集过程.给出了恢复时间和反馈时间的计算方法，提出了器件抗单粒子翻转的加固措施.对电荷收集过程中截止管漏极电位的变化进行了分析，提出了临界电荷新定义，并给出了判断带电粒子入射能否导致器件发生单粒子翻转效应的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗晋生	西安交通大学电信学院	28	194	7.0	13.0
2	贺朝会		1	68	1.0	1.0
3	李国政		8	127	6.0	8.0
4	刘恩科	西安交通大学电信学院	4	73	2.0	4.0