SOI CMOS SRAM单元单粒子翻转效应的模拟

• 作者: 于芳 刘忠立 李宁 李振涛 杨波 赵凯 高见头
• 来源期刊: 信息与电子工程
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子翻转 双指数模型 器件模拟 部分耗尽绝缘体上硅 静态随机存储器
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 微光机电与物理电子技术
• 页码范围: 774-777
• 分类号: TN386|TP333.8
• 字数: 2933字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-2892.2011.06.023

摘要

为简单快速模拟静态随机存储器(SRAM)的单粒子效应,在二维器件数值模拟的基础上,以经典的双指数模型为原型,通过数值拟合得到了单粒子效应瞬态电流脉冲的表达式,考虑晶体管偏压对瞬态电流的影响,得到修正的瞬态电流表达式,将其带入电路模拟软件HSPICE中进行SRAM存储单元单粒子翻转效应的电路模拟,通过与实际单粒子实验结果的对比,验证了这种模拟方法的实用性.