驱动能力对SOI SRAM单元单粒子效应的影响仿真

• 作者: 徐静 洪根深 陈玉蓉
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: SOI SEU 三维仿真
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 页码范围: 34-37
• 分类号: TN305
• 字数: 1272字
• 语种: 中文

摘要

采用silvaco软件对抗辐射不同沟道宽度的PD SOI NMOS器件单元进行了三维SEU仿真,将瞬态电流代入电路模拟软件HSPICE中进行SRAM存储单元单粒子翻转效应的电路模拟.通过这种电路模拟的方法,可以得到SRAM存储单元的LET阈值.通过对比LET阈值的实际测量值,验证了这种方法的实用性,并对不同驱动能力的SRAM单元进行了翻转效应的对比.在NMOS和PMOS驱动比相同的情况下,沟道宽度越大,SRAM的翻转LET阈值反而越高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪根深		33	74	5.0	6.0
2	徐静		16	27	4.0	5.0
3	陈玉蓉		2	10	2.0	2.0