全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型

• 作者: 万新恒 张兴 王阳元 谭静荣 高文钰 黄如
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI MOSFET 辐照效应 阈值电压漂移模型 剂量率
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1519-1521
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 3964字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2001.11.020

摘要

报道了全耗尽SOI MOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系.模型计算结果与实验吻合较好.该模型物理意义明确,参数提取方便,适合于低辐照总剂量条件下的加固SOI器件与电路的模拟.讨论了抑制阈值电压漂移的方法.结果表明,对于全耗尽SOI加固工艺,辐照导致的埋氧层(BOX)氧化物电荷对前栅的耦合是影响前栅阈值电压漂移的主要因素,但减薄埋氧层厚度并不能明显提高SOI MOSFET的抗辐照性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
3	王阳元	北京大学微电子学研究所	78	1128	15.0	32.0
4	万新恒	北京大学微电子学研究所	5	32	4.0	5.0
5	谭静荣	北京大学微电子学研究所	5	4	1.0	1.0
6	高文钰	北京大学微电子学研究所	6	20	2.0	4.0