低剂量辐照条件下的MOSFET因辐照导致的阈值电压漂移的模拟

• 作者: 万新恒 张兴 王阳元 高文钰 黄如
• 来源期刊: 北京大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 阈值电压漂移 辐照效应 辐照敏感性
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 页码范围: 63-68
• 页数: 6页
• 分类号: T N304
• 字数: 3423字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0479-8023.2002.01.012

摘要

推导了MOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系.模型计算结果与实验吻合较好.该模型物理意义明确,参数提取方便,适合于低辐照总剂量条件下的MOS器件与电路的模拟.并进一步讨论了MOSFET的辐照敏感性.结果表明,尽管PMOS较之NMOS因辐照引起的阈值电压漂移的绝对量更大,但从MOSFET阈值电压漂移量的摆幅这一角度来看,在低剂量辐照条件下NMOS较之PMOS显得对辐照更为敏感.这一研究结果可能为辐照剂量学提供新的应用思路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
3	王阳元	北京大学微电子学研究所	78	1128	15.0	32.0
4	万新恒	北京大学微电子学研究所	5	32	4.0	5.0
5	高文钰	北京大学微电子学研究所	6	20	2.0	4.0