一种新的辐射试验技术--低能X射线辐照

• 作者: 师谦 恩云飞 王涛 罗宏伟
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 低能X射线 辐照试验 陷阱电荷 界面态
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 可靠性物理与失效分析技术
• 页码范围: 56-59
• 页数: 4页
• 分类号: TN407
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2004.03.013

摘要

首先分析了辐照条件下MOSFET氧化层及Si/SiO2界面陷阱电荷和界面态电荷产生的机理,随后介绍了一种低能X射线辐射系统,最后讨论了X射线辐照后nMOSFET阈值电压的变化,结果表明采用X射线辐照对nMOSFET的阈值电压的影响与60Co辐照影响的规律一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗宏伟	西安电子科技大学微电子研究所	8	63	5.0	7.0
5	师谦		11	110	7.0	10.0
6	王涛	华南理工大学应用物理系	32	258	7.0	15.0
7	恩云飞		37	304	10.0	14.0