nMOSFET低能X射线辐照特性研究

• 作者: 恩云飞 罗宏伟
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 低能X射线 总剂量 剂量率 转移特性 阈值电压
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 可靠性物理与失效分析技术
• 页码范围: 25-28
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1|TG115.22+2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2005.06.007

摘要

讨论了MOSFET的辐照损伤机理,通过低能(10keV)X射线辐照试验,分析了不同X射线辐照总剂量、不同剂量率对nMOSFET单管的转移特性以及阚值电压的影响,结果表明X射线辐照对nMOSFET的阈值电压变化的影响与60Co辐照影响的规律基本一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗宏伟		16	122	6.0	10.0
3	恩云飞		37	304	10.0	14.0