非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型

• 作者: 丁磊 许剑 钟传杰 韩郑生
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 阈值电压 表面势 全耗尽SOI HALO结构
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 页码范围: 2166-2169,2173
• 页数: 5页
• 分类号: TN40
• 字数: 3211字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.06.050

摘要

在考虑了隐埋层与硅层的二维效应的基础上提出非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型,该模型计算了在不同硅膜厚度,掺杂浓度,HALO区占沟道比例的条件下的阈值电压.模型结果与二维数值模拟软件MEDICI的模拟结果较好的吻合,该模型对HALO结构的物理特性和工艺设计有很好的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	钟传杰	江南大学信息工程学院	53	90	5.0	7.0
3	丁磊	江南大学信息工程学院	6	9	2.0	2.0
4	许剑	江南大学信息工程学院	3	3	1.0	1.0