非对称 Halo 异质栅应变 Si SOI MOSFET 的二维解析模型*

• 作者: 刘红侠 卓青青 范小娇 辛艳辉
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 非对称 Halo 异质栅 应变 Si 短沟道效应
• 年，卷（期）: 2013,（15）
• 页码范围: 158502-1-158502-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.158502

摘要

为了进一步提高深亚微米 SOI (Silicon-On-Insulator) MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的电流驱动能力，抑制短沟道效应和漏致势垒降低效应，提出了非对称 Halo 异质栅应变 Si SOI MOSFET.在沟道源端一侧引入高掺杂 Halo 结构，栅极由不同功函数的两种材料组成.考虑新器件结构特点和应变的影响，修正了平带电压和内建电势.为新结构器件建立了全耗尽条件下的表面势和阈值电压二维解析模型.模型详细分析了应变对表面势、表面场强、阈值电压的影响，考虑了金属栅长度及功函数差变化的影响.研究结果表明，提出的新器件结构能进一步提高电流驱动能力，抑制短沟道效应和抑制漏致势垒降低效应，为新器件物理参数设计提供了重要参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
2	卓青青	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	9	33	4.0	5.0
3	辛艳辉	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	7	2.0	2.0
4	范小娇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	5	9	2.0	2.0