异质栅非对称Halo SOI MOSFET

• 作者: 吴建民 李尊朝 蒋耀林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 异质栅 SOI 阈值电压 解析模型
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 327-331
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 1409字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.03.003

摘要

为了抑制异质栅SOI MOSFET的漏致势垒降低效应,在沟道源端一侧引入了高掺杂Halo结构.通过求解二维电势Poisson方程,为新结构器件建立了全耗尽条件下表面势和阈值电压解析模型,并对其性能改进情况进行了研究.结果表明,新结构器件比传统的异质栅SOI MOSFETs能更有效地抑制漏致势垒降低效应,并进一步提高载流子输运效率.新结构器件的漏致势垒降低效应随着Halo区掺杂浓度的增加而减弱,但随Halo区长度非单调变化.解析模型与数值模拟软件MEDICI所得结果高度吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李尊朝	西安交通大学电子与信息工程学院	31	275	8.0	16.0
2	蒋耀林	西安交通大学理学院	33	95	4.0	8.0
3	吴建民	西安交通大学理学院	2	10	1.0	2.0