一种非对称双栅应变硅HALO掺杂沟道MOSFET阈值电压解析模型

• 作者: 段美霞 辛艳辉
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应变硅 HALO掺杂沟道 非对称双栅 短沟道效应
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 2432-2437
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 4031字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2019.11.027

摘要

提出了一种非对称双栅应变硅HALO掺杂沟道金属氧化物半导体场效应管结构.该器件前栅和背栅由两种不同功函数的金属构成,沟道为应变硅HALO掺杂沟道,靠近源区为低掺杂区域,靠近漏区为高掺杂区域.采用分区的抛物线电势近似法和通用边界条件求解二维泊松方程,分别求解了前背栅表面势、前背栅表面电场及前背栅阈值电压,建立了双栅器件的表面势、表面电场和阈值电压解析模型.详细讨论了物理参数对解析模型的影响.研究结果表明,该器件能够很好的抑制短沟道效应、热载流子效应和漏致势垒降低效应.模型解析结果与DESSIS仿真结果吻合较好,证明了该模型的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	段美霞	华北水利水电大学物理与电子学院	24	43	4.0	5.0
2	辛艳辉	华北水利水电大学物理与电子学院	30	131	6.0	10.0