对称三材料双栅应变硅MOSFET亚阈值电流与亚阈值斜率解析模型

• 作者: 袁合才 辛洋 辛艳辉
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 亚阈值电流 亚阈值斜率 三材料双栅 应变硅
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 2768-2772
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3634字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.11.026

摘要

基于泊松方程和边界条件,推导了对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET:metal oxide semiconductor field effect transistor)的表面势解析解.利用扩散-漂移理论,在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了亚阈值电流与亚阈值斜率二维解析模型.分析了沟道长度、功函数差、弛豫SiGe层的Ge组份、栅介质层的介电常数、应变硅沟道层厚度、栅介质高k层厚度和沟道掺杂浓度等参数对亚阈值性能的影响,并对亚阈值性能改进进行了分析研究.研究结果为优化器件参数提供了有意义的指导.模型解析结果与DESSIS仿真结果吻合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁合才	华北水利水电大学数学与统计学院	56	142	5.0	10.0
2	辛艳辉	华北水利水电大学信息工程学院	30	131	6.0	10.0
3	辛洋		1	1	1.0	1.0