亚阈值状态下MOSFET二维双区和单区静电势模型的比较

• 作者: 张满红 袁至衡
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 单区模型 双区模型 特征函数 边界条件 平均误差
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 电子元器件设计与应用
• 页码范围: 128-132,137
• 页数: 6页
• 分类号: TN917.83-34|TN4|TN32
• 语种: 中文
• DOI: 10.16652/j.issn.1004-373x.2017.10.035

摘要

定义一个平均误差,该误差可以估算求解MOSFETs二维双区和单区静电势模型电势分布所用源漏端边界条件的偏差情况.首先根据长沟道模型近似确定衬底耗尽层厚度,通过平均误差计算发现双区模型最大源漏偏差远小于0.06 V,而单区模型相应的源漏偏差大于0.1 V.当器件沟道长度为亚微米级时,利用电压掺杂转换模型的耗尽层厚度计算方法对两种模型做出校正,双区电势模型在校正后的源漏条件偏差有明显的减小,单区模型的源漏偏差却会增大,尤其在短沟道以及衬底高掺杂浓度时误差较大.结果表明,双区静电势模型更为精准.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张满红	华北电力大学现代电子科学研究所	4	1	1.0	1.0
2	袁至衡	华北电力大学现代电子科学研究所	2	0	0.0	0.0