亚阈值下 MOSFET 氧化层和空间电荷区的二维电势解析模型

• 作者: 徐春夏 柯导明 王保童 王敏 韩名君
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物半导体场效应管 电势解析模型 栅氧化层 空间电荷区
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 2237-2241
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3501字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2013.11.019

摘要

本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开，把未知量求解转化成一组线性代数方程，得到了二维电势解析表达式，并给出了电势能极值点的计算方法。模型的优点是精度与数值解的精度相同，不含适配参数、运算量小、避免了数值分析时的方程离散化，可直接用于电路模拟程序。文中讨论了亚阈值下NMOSFET的电势分布、阈值电压和界面态电荷的影响。结果表明，该模型与MEDICI结果极其吻合。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯导明	安徽大学电子信息工程学院	83	423	10.0	17.0
2	韩名君	安徽大学电子信息工程学院	10	37	4.0	6.0
4	王敏	安徽大学电子信息工程学院	43	112	5.0	8.0
7	王保童	安徽大学电子信息工程学院	4	22	3.0	4.0
8	徐春夏	安徽大学电子信息工程学院	2	11	2.0	2.0