短沟Trench MOSFET阈值电压解析模型

• 作者: 杨大伟 王颖 程超 胡海帆
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 沟槽栅MOSFET 阈值电压 解析模型 器件模拟
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 纳米固态及真空电子器件
• 页码范围: 1776-1779
• 页数: 4页
• 分类号: TN342.4
• 字数: 2882字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.06.018

摘要

传统MOS器件的阈值电压模型被广泛地用于分析Trench MOSFET的阈值电压,这种模型对于长沟道和均匀分布衬底的MOS器件来说很合适.但是对于Trench MOSFET器件来说却显现出越来越多的问题,这是因为Trench MOSFET的沟道方向是垂直的,其杂质分布也是非均匀的.本文基于二维电荷共享模型,给出了Trench MOSFET的一种新的阈值电压解析模型,该模型反映了器件的阈值电压随不同结构和工艺参数变化的规律,模型的结果和器件仿真软件Sivaco TCAD的仿真结果吻合较好.该模型较好地解决了以往所用的Trench MOSFET阈值电压模型计算不准确的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡海帆	哈尔滨工程大学信息与通信工程学院	6	11	2.0	3.0
2	王颖	哈尔滨工程大学信息与通信工程学院	55	237	9.0	13.0
3	程超	哈尔滨工程大学信息与通信工程学院	9	21	3.0	4.0
4	杨大伟	哈尔滨工程大学信息与通信工程学院	44	250	9.0	13.0