功率VUMOSFET器件阈值电压最佳化设计

• 作者: 孙永斌 王新 石广源
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: VUMOSFET 阈值电压 SILVACO
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 131-133
• 分类号: TN4
• 语种: 中文

摘要

从功率VUMOSFET器件结构出发,通过使用模拟软件SILVACO进行工艺和器件仿真,根据仿真结果分析了器件沟道掺杂浓度分布对阈值电压的影响,进而提出工艺改进的措施.对功率VUMOSFET的设计与生产具有指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石广源	辽宁大学物理学院	39	119	6.0	8.0
2	王新	辽宁大学物理学院	47	287	9.0	16.0
3	孙永斌	辽宁大学物理学院	3	2	1.0	1.0