埋氧厚度对硅膜阈值电压及硼杂质分布的影响

• 作者: 段健
• 来源期刊: 西安工程大学学报
• 关键词: 绝缘体上硅 局部氧化隔离 界面应力
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 机电工程
• 页码范围: 375-378
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-649X.2011.03.019

摘要

通过模拟局部氧化隔离SOI NMOSFET器件硅膜和埋氧界面处的应力分布随埋氧厚度的变化情况,分析其对硼杂质再分布的影响机制,得出SOI NMOSFET器件阈值电压对埋氧厚度的依赖关系.模拟结果表明,在原工艺流程完成后再进行一次退火处理,可以减弱应力对器件阈值电压的影响.