多晶硅量子效应及其对MOSFET阈值电压的影响

• 作者: 代月花 孙家讹 徐超 柯导明 陈军宁
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 量子效应 MOSFET 阈值电压
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 电子信息材料与器件
• 页码范围: 967-969,984
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2202字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2006.06.030

摘要

根据载流子分布曲线近似,通过求解泊松方程,得到了多晶硅中电场及其电势的分布,计算了在不同掺杂浓度下多晶硅量子效应所引起的MOSFET阈值电压的偏移,并与数值模拟的结果进行了比较,表明其具有较好的准确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯导明	安徽大学电子科学与技术学院	83	423	10.0	17.0
2	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0
3	孙家讹	安徽大学电子科学与技术学院	10	16	2.0	4.0
4	代月花	安徽大学电子科学与技术学院	34	113	6.0	8.0
5	徐超	安徽大学电子科学与技术学院	48	418	11.0	19.0