对称双栅高斯掺杂应变Si金属氧化物半导体场效应管的二维解析模型

• 作者: 吴笑峰 席在芳 李劲 李目 胡仕刚
• 来源期刊: 中南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 高斯掺杂 应变Si 阈值电压
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 机械工程·控制科学与工程
• 页码范围: 1203-1208
• 页数: 6页
• 分类号: TN302
• 字数: 3531字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11817/j.issn.1672-7207.2016.04.017

摘要

基于扩散、阈值调整和离子注入等工艺过程导致器件的沟道区的掺杂分布不均匀,提出对称双栅高斯掺杂应变硅MOSFET器件,并对其相关特性进行研究.通过对沟道二维泊松方程求解建立该器件结构的表面势和阈值电压模型,分析弛豫SiGe层的Ge组分和掺杂偏差σn对表面势和阈值电压的影响.此外,还对比分析高斯掺杂对称双栅应变硅MOSFET器件和均匀掺杂对称双栅应变硅MOSFET器件的表面势和阈值电压.研究结果表明:阈值电压随应变Si膜中Ge组分的增加而降低;表面势和阈值电压随偏差σn的增加而减小;高斯掺杂对称双栅应变硅MOSFET器件和均匀掺杂对称双栅应变硅MOSFET器件的表面势和阈值电压相差较大,表明非均匀掺杂对器件表面势和阈值电压等影响较大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	席在芳	湖南科技大学信息与电气工程学院	62	179	7.0	11.0
2	吴笑峰	湖南科技大学信息与电气工程学院	40	147	7.0	10.0
3	胡仕刚	湖南科技大学信息与电气工程学院	37	88	5.0	8.0
4	李目	湖南科技大学信息与电气工程学院	35	171	7.0	11.0
5	李劲	湖南科技大学信息与电气工程学院	15	9	2.0	2.0