应变Si全耗尽S0I MOSFET二维亚阈电流模型

• 作者: 屈江涛 张鹤鸣 王冠宇 秦珊珊 肖庆 胡辉勇 舒钰
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应变硅 FD-SOI MOSFET 表面势 亚阈电流
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 784-788
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

本文通过求解二维泊松方程,为应变Si全耗SOI MOSFET建立了全耗尽条件下表面势模型,利用传统的漂移-扩散理论.在表面势模型的基础上,得到了应变Si全耗SOI MOSFET的亚阈电流模型,并通过与二维器件数值模拟工具ISE的结果做比较,证明了所建立的模型的正确性.根据所建立的模型,分析了亚阈电流跟应变Si应变度的大小,应变Si膜的厚度和掺杂浓度的关系,为应变Si全耗SOI MOSFET物理参数设计提供了重要参考.