基于半导体物理的MOSFET亚阈区电流特性研究

• 作者: 于肇贤 殷树娟 高歌
• 来源期刊: 北京信息科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物半导体场效应晶体管 空间电荷区 亚阈值区 电流模型
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2753字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16508/j.cnki.11-5866/n.2019.02.005

摘要

针对亚阈区导电问题,基于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件结构,由半导体表面空间电荷区的不同物理状态出发,分析了能带及载流子浓度随偏置电压的变化情况,推导了亚阈区表面弱反型的条件及亚阈区导电电流模型,得到了定性描绘MOSFET亚阈区导电特性的曲线,结果表明亚阈状态的MOSFET在低电压、低功耗尤其在逻辑开关和存储器等大规模集成电路应用中十分适用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于肇贤	北京信息科技大学理学院	44	43	3.0	4.0
2	殷树娟	北京信息科技大学理学院	38	111	5.0	9.0
3	高歌	北京信息科技大学理学院	3	0	0.0	0.0