半导体微结构间电场的研究

• 作者: 刘君华 朱长纯 李炳乾
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 空间电荷 微结构 电场强度
• 年，卷（期）: 1999,（9）
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.1999.09.007

摘要

分析了半导体表面空间电荷层对深亚微米、纳米尺度下半导体微结构间电场的影响,并同宏观尺寸下采用的金属极板公式进行了比较.结果表明:当半导体微结构间距离在1 μm以上时,可以忽略半导体表面空间电荷层对微结构间电场的影响;当半导体微结构间距离缩小到亚微米和数十纳米量级时,空间电荷层对微结构间电场分布的影响逐渐增大,此时分析电场一般不能利用金属极板公式.微结构间电场同金属极板近似公式间的相对误差与半导体材料的介电常数、掺杂浓度等因素有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘君华		224	3216	28.0	45.0
2	朱长纯		215	2372	22.0	41.0
3	李炳乾		7	92	3.0	7.0