半导体桥芯片性能影响因素的研究

• 作者: 刘国应 刘忠山 莫元玲
• 来源期刊: 火工品
• 关键词: 半导体桥 瞎火 性能 影响因素
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 13-16
• 页数: 4页
• 分类号: TJ450.3
• 语种: 中文

摘要

为解决半导体桥工程应用中出现的问题，根据半导体桥作用机理，对影响半导体桥芯片性能的因素，如SiO 2层厚度、电极材料及厚度、桥区形状等进行了实验研究和分析，并提出工艺控制措施。研究结果对半导体桥芯片的制作技术具有参考意义。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莫元玲		6	14	2.0	3.0
2	刘忠山		5	2	1.0	1.0
3	刘国应		2	0	0.0	0.0