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摘要:
通过分析半导体桥(Semiconductor Bridge,SCB)在相同电容不同电压下的电压电流曲线和桥面的烧蚀情况,研究了SCB的放电特性.实验发现:在相同电容下,随着充电电压的升高,SCB从无等离子体到有等离子体产生,且桥面的烧蚀程度增大.在低电压无等离子体时,电压和电流几乎同时断开;高电压产生等离子体时,由于等离子体是导体,在电压断开后电流持续一段时间断开.小电容放电时,其时间常数较小,较小的能量就可以将药剂点燃.
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文献信息
篇名 半导体桥电容放电特性研究
来源期刊 火工品 学科
关键词 半导体桥 放电特性 电压电流曲线
年,卷(期) 2010,(2) 所属期刊栏目 研究报告
研究方向 页码范围 1-4
页数 分类号 TJ450.1
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-1480.2010.02.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 朱顺官 南京理工大学化工学院 69 437 10.0 18.0
2 张琳 南京理工大学化工学院 67 748 13.0 25.0
3 马鹏 南京理工大学化工学院 9 52 6.0 7.0
4 徐大伟 15 86 6.0 8.0
5 张垒 南京理工大学化工学院 6 35 4.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
半导体桥
放电特性
电压电流曲线
研究起点
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
火工品
双月刊
1003-1480
61-1179/TJ
大16开
1979-01-01
chi
出版文献量(篇)
1824
总下载数(次)
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